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霍爾傳感器原理
日期：2025-07-04 18:03
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摘要：
霍爾傳感器原理
半導體薄片置于磁感應(yīng)強度為 B 的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流 I 流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢 EH ，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。
原理簡述如下：激勵電流 I 從 a 、 b 端流入，磁場 B 由正上方作用于薄片，這時電子 e 的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的 c 、 d 方向產(chǎn)生電場 E 。電子積累得越多， FE 也越大，在半導體薄片 c 、 d 方向的端面之間建立的電動勢 EH 就是霍爾電勢。
由實驗可知，流入激勵電流端的電流 I 越大、作用在薄片上的磁場強度 B 越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場或交變磁場。
半導體薄片置于磁感應(yīng)強度為 B 的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流 I 流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢 EH ，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。
原理簡述如下：激勵電流 I 從 a 、 b 端流入，磁場 B 由正上方作用于薄片，這時電子 e 的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的 c 、 d 方向產(chǎn)生電場 E 。電子積累得越多， FE 也越大，在半導體薄片 c 、 d 方向的端面之間建立的電動勢 EH 就是霍爾電勢。
由實驗可知，流入激勵電流端的電流 I 越大、作用在薄片上的磁場強度 B 越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場或交變磁場。